SF6, ou hexafluoreto de enxofre, é um gás comumente usado na gravura seca, usada principalmente para gravação de silício no processo de produção de semicondutores. O gás SF6 possui uma estrutura octaédrica, consistindo em um átomo central de enxofre cercado por seis átomos de flúor. Suas propriedades não polares o tornam um gás isolante em equipamentos elétricos de alta tensão. As propriedades físicas do SF6 incluem incolor, inodoro, não inflamável, não tóxico, isolante, mais pesado que o ar, capacidade de resfriamento, alta resistência dielétrica, estabilidade térmica e baixa solubilidade na água, mas solúvel em solventes orgânicos não polares.
Em termos de propriedades químicas, o SF6 dificilmente reage com outras substâncias à temperatura ambiente, mas se decompõe sob forte luz ultravioleta.
O SF6 é geralmente produzido pela indústria e o seu conteúdo na natureza é muito pequeno. A equação de reação para produção de SF6 é:
2 CoF₂ SF₄ [Br₂] → SF₄ + 2 CoF₂ [Br₂]
Quando SF₄, CoF₃ e Br₂ são misturados e aquecidos a 100 graus, ocorre uma reação entre eles. Nesta reação, uma parte de SF₄ e CoF₃ reage para produzir SF₆ e CoF₂. O bromo não é consumido na reação, apenas atua como catalisador.

O SF6 é perigoso?

Embora o SF6 não seja tóxico em seu estado puro, ele deslocará o oxigênio do ar e uma concentração de volume superior a 19% no ar causará asfixia. Portanto, é muito importante detectar vazamentos de SF6 em tempo hábil e tomar medidas preventivas apropriadas no processo de fabricação de semicondutores.
Uso SF6 na indústria de semicondutores
O SF6 é amplamente utilizado na fabricação de semicondutores. No processo de gravação de silício, o SF6 é usado como o principal gás de gravação e trabalha em conjunto com os gases voláteis gerados SF4 e C4F8 para obter uma gravação profunda de silício. Além disso, o SF6 é frequentemente usado para a gravação a seco de metais Mo e W, reagindo com esses metais para gerar hexafluorides voláteis mof₆ e wf₆. Embora o SF6 não seja o gás preferido para a gravação de alumínio, ele pode ser usado como gás auxiliar para aumentar a taxa de gravação de alumínio quando misturada com gases como Cl₂.
Gravura de silício
Na etapa de gravação de silício, apenas o silício na parte inferior, onde o filme de passivação foi removido, é gravado. O gás SF6 é introduzido e o SF6 é dissociado no plasma para gerar uma variedade de produtos de decomposição, incluindo átomos de flúor altamente ativos (F).
SF6-->SF4+F2-->SF2+2F2-->F+...
Os átomos de fluorina gerados reagem com a superfície do silício para gerar tetrafluoreto de silício (SIF4), um composto volátil que é facilmente descarregado da câmara.
Si+4F-->Sif4
Gravura da camada de passivação inferior
Nesta fase, uma camada de passivação é formada tanto na parede lateral quanto na parte inferior. No entanto, queremos apenas manter a camada de passivação na parede lateral para proteger a parede lateral de corrosão, mas precisamos remover a camada de passivação na parte inferior para poder gravar para baixo. Portanto, o gás SF6 será introduzido neste momento para atacar a camada de passivação no fundo. Depois que a camada de passivação na parte inferior desaparece, o SF6 continua a gravar o silício e o ciclo se repete, como um loop sem fim.

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